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揭开如何利用参数来选择MOS管的秘密

 
 
  近年来,随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOS管产品的行业在近几年来得到了跨越式的发展,功率MOS管更是备受关注。技术一直在进步,功率MOS管市场逐渐受到了新技术的挑战。
 

 
 
  对功率MOS管市场的挑战还处于技术非常初期的阶段,MOS管在技术成熟度、供应量等方面仍然占据明显的优势,经过三十多年的发展,MOS管市场也不会轻易被新技术迅速替代,MOS管仍会占据主导的位置。
 

 
 
  MOS管也是众多刚入行的工程师都会接触到的器件,作为电气系统中的基本部件,工程师如何根据参数做出正确选择呢?
 

 
 
  MOS管有两大类型:N沟道和P沟道。为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。
 

 
 
  例如:在开关电源应用中,DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOS管来执行开关功能,开关电源中第二重要的MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。
 

 
 
  电压和电流的选择。必须确定漏极至源极间可能承受的电压,即VDS.设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。
 

 
  对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易,而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。
 
  最后就是散热要求了,设计人员必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。
 
 

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